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IXTC 26N50P
50
45
40
Fig. 7. Input Admittance
50
45
40
Fig. 8. Transconductance
35
35
T J = - 40oC
25oC
30
25
T J = 125oC
25oC
30
25
125oC
- 40oC
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0
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15
20
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30
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45
50
55
60
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 250V
I D = 13A
I G = 10mA
30
T J = 125oC
4
3
20
2
10
0
T J = 25oC
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
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25
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40
45
50
55
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65
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
f = 1 MHz
C iss
100
R DS(on) Limit
25μs
1,000
100μs
100
10
C oss
C rss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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